CVE-2021-42114
Vulnérabilité critique dans Micron ddr4_sdram (Micron)
Description
Modern DRAM devices (PC-DDR4, LPDDR4X) are affected by a vulnerability in their internal Target Row Refresh (TRR) mitigation against Rowhammer attacks. Novel non-uniform Rowhammer access patterns, consisting of aggressors with different frequencies, phases, and amplitudes allow triggering bit flips on affected memory modules using our Blacksmith fuzzer. The patterns generated by Blacksmith were able to trigger bitflips on all 40 PC-DDR4 DRAM devices in our test pool, which cover the three major DRAM manufacturers: Samsung, SK Hynix, and Micron. This means that, even when chips advertised as Rowhammer-free are used, attackers may still be able to exploit Rowhammer. For example, this enables privilege-escalation attacks against the kernel or binaries such as the sudo binary, and also triggering bit flips in RSA-2048 keys (e.g., SSH keys) to gain cross-tenant virtual-machine access. We can confirm that DRAM devices acquired in July 2020 with DRAM chips from all three major DRAM vendors (Samsung, SK Hynix, Micron) are affected by this vulnerability. For more details, please refer to our publication.
Gravité et risque d'exploitation
CVE-2021-42114 obtient un score CVSS de 9.0/10, soit une gravité critique. Selon le modèle EPSS, la probabilité qu'elle soit exploitée dans les 30 prochains jours est de 2.98 %, ce qui la place devant 87.1 % des CVE référencées.
Que faire ?
- Vérifiez si Micron ddr4_sdram (versions 1) est présent sur votre parc.
- Appliquez le correctif ou la version corrigée indiqués dans les références de l'éditeur.
- À défaut de correctif, limitez l'exposition (filtrage réseau, désactivation du composant).
- Automatisez la détection : les agents CVE Heimdall (gratuits, open source) corrèlent l'inventaire de vos serveurs avec la base CVE.